Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Moritz Albrecht
Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden, bei denen es um Galliumnitrid-Technologie (GaN) ging. Das Urteil bedeutet die dritte und vierte juristische Niederlage für das chinesische Unternehmen Innoscience in den Auseinandersetzungen mit Infineon. Das Gericht befand Innoscience der unberechtigten Nutzung der patentierten GaN-Technologien von Infineon für schuldig.
Das Gericht verurteilte Innoscience zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon. Zudem untersagte es dem Unternehmen, in Deutschland patentverletzende GaN-Produkte herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten.
Infineon verfügt über eine starke Position im GaN-Markt und hält rund 450 GaN-Patentfamilien in seinem Portfolio. Dies festigt seine Rolle als führender Anbieter von integrierten Halbleiterlösungen. GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige und energieeffiziente Stromversorgungssysteme in verschiedenen Branchen.
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Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, erklärte, das Urteil unterstreiche den Wert des GaN-Portfolios von Infineon. Er betonte das Engagement des Unternehmens, sein geistiges Eigentum zu verteidigen und faire Wettbewerbsbedingungen zu fördern. Gerichte und Behörden in Deutschland und den USA hatten zuvor bereits festgestellt, dass Produkte von Innoscience die Rechte von Infineon verletzen.
Das Urteil stärkt Infineons Engagement für Innovation und die Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie. Gleichzeitig zeigt es den Willen des Unternehmens, sein geistiges Eigentum zu schützen. Die Entscheidung schränkt die Möglichkeiten von Innoscience ein, in Deutschland mit den umstrittenen Produkten zu agieren.
